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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解

  • 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  共源共柵  cascode  

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數(shù)、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
  • 關鍵字： cascode  FET  SiC  

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

  • 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體
  • 關鍵字： 碳化硅  Cascode  

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

  • 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
  • 關鍵字： 碳化硅  Cascode JFET  碳化硅  安森美  

速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版

  • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結果。演
  • 關鍵字： SiC  JFET  并聯(lián)設計  

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

  • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結了適用于所
  • 關鍵字： JFET  Cascode  功率半導體  

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

  • 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體管（B
  • 關鍵字： SiC  Cascode  JFET  AC-DC  

安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

  • 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅JFET  SiC JFET  數(shù)據(jù)中心電源   

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術

  • 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
  • 關鍵字： 安森美  收購  Qorvo  SiC JFET  

很基礎的MOS管知識

  • 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  JFET  

還分不清結型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
  • 關鍵字： 結型場效應管  jfet  MOSFET  電路設計  

結型場效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

  • 今天給大家講講結型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶體管的基極，源極對應晶體管的發(fā)射極，漏極對應晶體管的集電極。在這之前講過關于三極管測好壞的方法，極性的判斷。可以點擊標題直接跳轉。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結，幾分鐘教你學會將萬用表設置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每兩個引腳之間的正反向電阻。當兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
  • 關鍵字： 結型場效應管  jfet  電路設計  

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

  • 本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
  • 關鍵字： 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

如何成為硬件高手

  • 　　摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁……　　古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！　±碚搶W習　　沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
  • 關鍵字： 仿真  JFET  

結型場效應管(JFET)的基礎知識

  • 　　結構與符號：　　? ?　　在N區(qū)兩側擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！　щ娫恚骸　? ?　　(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！　?2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄?！　‘擵GS
  • 關鍵字： JFET  
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